05.低功耗设计
2025年4月1日大约 2 分钟
05.低功耗设计
1.分类
动态功耗
开关功耗:在CMOS电路中,对负载电容进行充放电时消耗的功耗
上式中,为等效电容负载大小,为输入信号的翻转率,对于时钟信号而言,一个周期内翻转两次,有,公式为
短路功耗:信号的翻转,存在一个执行时间,不可能瞬间完成
式中,为一次翻转过程中从电源流到地的电荷量
静态功耗:于CMOS电路中,静态公共号主要由漏电流引起的功耗
浪涌功耗:浪涌电流引起的功耗
- 浪涌电流是指开机或唤醒的时候,器件流过的最大电流,因此浪涌电流也被称为启动电流
- 一般不关注
2. 低功耗设计
2.1 系统级
供电电压越高,单元延迟越小,即时序要求工作频率越高的模块,其供电电压要求也越高
- 多电压设计技术
- 不同区域使用不同的电平标准
- 高速、低速信号区域供电不一
- DC设计
- 门控时钟(“需要时,时钟信号再送入”)
- DVFS(动态电压频率调整)
- ....
- 系统时钟分配(high level)
- 时钟信号是系统中最高频的信号,其功耗是最高的?
- 算法与IP选择(high level)
2.2 RTL级
并行与流水
- 并行:利用并行处理,降低模块工作频率,用更多的资源消耗换取功率下井
- 流水:对电容的充放电产生功率消耗,将一个较长的组合逻辑划分为M级流水,每个时钟周期内电容变为C/M,在相同时钟频率下,可以使用更低的驱动电压。
操作数隔离
- 在非必要操作情况下,关闭对加法器,乘法器的使用
门控时钟
2.3 门级
减少负载电容
电源门控
工艺库
多阈值电压设计
HVT = High V threshold
LVT = Low V threshold
SVT(RVT) = Standard V threshold (Regular V threshold)
阈值电压越大,速度越慢(单位延迟越大),功耗越小。
速度: HVT<LVT<SVT
延迟: HVT>LVT>SVT
功耗:HVT<LVT<SVT
贡献者
happy-cmd